24 Mereni na unipolarnich tranzistorech II - Všichni Všem


Materiál je formátu doc

24 Mereni na unipolarnich tranzistorech II

Detail materiálu

Autor:
Přidáno: 18.01.2012 09:44
Kategorie: Práce
Předmět: Měření
Známka: 1
Hodnoceno: 2x
Popis: 24 Mereni na unipolarnich tranzistorech II


Stáhnout materiál

Oznámkuj materiál: 1 2 3 4 5

Nahlásit materiál

Doporučit přátelům




Náhled materiálu: Pozor! Náhled nemusí odpovídat skutečnosti. (v náhledu chybí obrázky a formátování se může lišit)

Úkol měření: Změřte odpor, prahové napětí a průrazné napětí tranzistoru MOS.

Schéma zapojení:
1) Schéma pro přibližné určení odporu:

 

2) Schéma pro měření průrazného napětí:

3) Schéma pro měření prahového napětí:

Použité přístroje:
Název Ozn. Údaje Invent. Číslo
Stab. zdroj U1 20V / 1A LE2 1763
Regul. zdroj U2 0-250V/2A LE4 1541
Potenciometr RP 0,63A 200Ω LE4 628
Ampérmetr mA MX 545 LE2 55
Voltmetr ČV MX 545 LE2 60
Voltmetr ČV MX 545 LE2 73
MOS IRF 640 UDS=200V ID=18A Ptdt=125W -----
Odpor R 4A , 16Ω LE4 626

 


Teorie: Tranzistor MOS v sepnutém stavu se chová jako ohmický odpor. Celkový odpor se liší u tranzistoru na nízké a vysoké napětí. Pro tranzistor s průrazným napětím do 100V lze dosáhnout odporu v sepnutém stavu menším jak 30 mΩ, u 100V tranzistoru může být 1-3Ω. V porovnání chování řízeného tranzistoru v sepnutém stavu s bipolárním tranzistorem, má MOSFET odporový charakter zatímco u BT se využívá stavu nasycení.

Jako prahové napětí se označuje taková hodnota napětí hradlo-emitor, při které protéká kolektorový proud určité velikosti např. ID=1mA. Při měření se hradlo spojí s kolektorem nakrátko, platí tedy UDS=UGS. Prahové napětí je teplotně závislé. Teplotní součinitel je záporný => se zvyšující se teplotou se prahové napětí snižuje. Pro sepnutí tranzistorů ochucovacího typu je nutné napětí hradla větší, než je prahové! Tranzistory ochucovacího typu jsou sepnuty i při UGS=0V.

Postup: 1) Měření odporu – přibližné:
Měření provádíme při UG a ID nepřesahujícím mezní parametry tranzistoru. Obvykle se měření provádí při polovině hodnoty jmenovitého proudu, při napětí UGS=10V. Voltmetr je potřeba připojit přímo na vývody tranzistoru (nejlépe čtyřsvorkově) tak, aby nebyly měřeny odpory přívodních vodičů a přechodové odpory. Použijeme voltmetr s vnitřním odporem větším než 10kΩ/V, U1,U2 – stejnosměrné zdroje 0-30V.
2) Měření průrazného napětí U(BR)DS:
Měření provádíme jen krátce a s nejvyšší opatrností (vysoké napětí!!!). Pokud se součástka ohřeje, nejsou získané hodnoty správné (průrazné napětí má kladný teplotní koeficient). Odpor R nám slouží k zachycení průrazného proudu. Používáme voltmetr s vnitřním odporem větším než 100kΩ/V, hodnota odporu R závisí na velikosti použitého napětí (od 10kΩ do 600kΩ), U1 stejnosměrné o hodnotě 50 – 120V.
3) Měření prahového napětí UDS (UGS):
Potenciometrem zvyšujeme napětí až do okamžiku než proud ID dosáhne hodnoty 1 mA. Následně odečteme z ČV hodnotu prahového napětí. Zvolíme voltmetr s vnitřním odporem větším než 1 MΩ, zdroj U1 v desítkách voltů, odpor R zhruba jednotky kΩ.
 


...
pokud chcete materiál celý, musíte si jej stáhnout (stažení je zdarma)

 
novinky

Přidat komentář

Ohodnoť materiál 24 Mereni na unipolarnich tranzistorech II.


 
typ

Podobné materiály

Podobné materiály k materiálu: 24 Mereni na unipolarnich tranzistorech II

lupa
Rychlá navigace
přejdi rychleji k hledaným materiálům


 
statistika
Statistika
Jak jsme na tom?

Studentů: 16471
Materiálů střední školy: 3021
Materiálů vysoké školy: 1349
Středních škol: 505
Vysokých škol: 50



© 2010 - 2013 Všichni Všem - Smluvní podmínky | Kde to jsem? | Kontakty | Reklama