24 Mereni na unipolarnich tranzistorech IIDetail materiálu
Oznámkuj materiál: 1 2 3 4 5 Nahlásit materiál Doporučit přátelům Náhled materiálu: Pozor! Náhled nemusí odpovídat skutečnosti. (v náhledu chybí obrázky a formátování se může lišit) Úkol měření: Změřte odpor, prahové napětí a průrazné napětí tranzistoru MOS. Schéma zapojení:
2) Schéma pro měření průrazného napětí: 3) Schéma pro měření prahového napětí: Použité přístroje:
Jako prahové napětí se označuje taková hodnota napětí hradlo-emitor, při které protéká kolektorový proud určité velikosti např. ID=1mA. Při měření se hradlo spojí s kolektorem nakrátko, platí tedy UDS=UGS. Prahové napětí je teplotně závislé. Teplotní součinitel je záporný => se zvyšující se teplotou se prahové napětí snižuje. Pro sepnutí tranzistorů ochucovacího typu je nutné napětí hradla větší, než je prahové! Tranzistory ochucovacího typu jsou sepnuty i při UGS=0V. Postup: 1) Měření odporu – přibližné: ... pokud chcete materiál celý, musíte si jej stáhnout (stažení je zdarma)
Přidat komentářOhodnoť materiál 24 Mereni na unipolarnich tranzistorech II.
Podobné materiályPodobné materiály k materiálu: 24 Mereni na unipolarnich tranzistorech II
Měření odporu termistorů v závislosti na teplotě Měření výkonu Měření indukčnosti cívek Měření kapacity kondenzátorů Měření odporu ohmmetrem Měření neznámého odporu Ohmovou metodou Měření závitů Měření a měřidla Meření kapacit Meření výkonu Měření 23 Mereni fotoelektrickych soucastek 22- měření na log. obvodech TTL II. 21- Měření na log. TTL obvodech I 20 Mereni charakteristik optoclenu 17 Mereni VA charakteristik diaku 16 Měření VA charakteristik polovodičů 16 Mereni VA charakteristik polovodicu 15 Měření ztrát v železe |
Rychlá navigace
přejdi rychleji k hledaným materiálům
Materiály středních škol podle předmětu Maturitní otázky Referáty Materiály vysokých škol podle předmětu
Statistika
Jak jsme na tom?
|